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HMP065N180C - Bruckewell
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图片信息
HMP065N180C 图片
HMP065N180C
  • 制造厂家：Bruckewell
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-220-3
  • 技术参数：GAN HEMT,650V,16.1A,185M,CASCODE
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HMP065N180C 技术参数详情：
  • 型号:HMP065N180C
  • 品牌:Bruckewell公司
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GAN HEMT,650V,16.1A,185M,CASCODE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.1A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:+20V，-20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 封装/外壳:TO-220-3
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