BY25Q256ESEIG(R) - BYTe
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图片信息
BY25Q256ESEIG(R)
制造厂家:
BYTe (BYTe Semiconductor)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:8-WSON(8x6)
技术参数:
256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
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BY25Q256ESEIG(R) 技术参数详情:
型号:BY25Q256ESEIG(R)
品牌:BYTe Semiconductor (BYTe)
封装:8-WSON(8x6)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:-
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:256Mb
存储器组织:32M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR
时钟频率:100 MHz
写周期时间 - 字,页:50s,2.4ms
访问时间:7 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-WDFN 焊盘
供应商器件封装:8-WSON(8x6)
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