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BY25D10ASOIG(R) - BYTe
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BY25D10ASOIG(R)
  • 制造厂家：BYTe (BYTe Semiconductor)
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:8-TSSOP
  • 技术参数：1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
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BY25D10ASOIG(R) 技术参数详情：
  • 型号:BY25D10ASOIG(R)
  • 品牌:BYTe Semiconductor (BYTe)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:1Mb
  • 存储器组织:128K x 8
  • 存储器接口:SPI - 双 I/O
  • 时钟频率:108 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:2.4ms
  • 访问时间:7 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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