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AS4C8M16S-6BINTR - Alliance Memory
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Alliance Memory产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
AS4C8M16S-6BINTR 图片
AS4C8M16S-6BINTR
  • 制造厂家：Alliance Memory
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:54-TFBGA（8x8）
  • 技术参数：IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
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AS4C8M16S-6BINTR 技术参数详情：
  • 型号:AS4C8M16S-6BINTR
  • 品牌:Alliance Memory, Inc. (Alliance Memory)
  • 封装:54-TFBGA（8x8）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM
  • 存储容量:128Mb
  • 存储器组织:8M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:2ns
  • 访问时间:5 ns
  • 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:54-TFBGA
  • 供应商器件封装:54-TFBGA（8x8）
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