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Alliance Memory产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
AS4C32M16SB-7TIN 图片
  • 制造厂家:Alliance Memory
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:54-TSOP II
  • 技术参数:IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
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AS4C32M16SB-7TIN 技术参数详情:
  • 型号:AS4C32M16SB-7TIN
  • 品牌:Alliance Memory, Inc. (Alliance Memory)
  • 封装:54-TSOP II
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:32M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:143 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:14ns
  • 访问时间:5.4 ns
  • 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:54-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装:54-TSOP II
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