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AOCR33105E - AOS
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图片信息
AOCR33105E 图片
AOCR33105E
  • 制造厂家：AOS（Alpha and Omega Semiconductor）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:10-MRigidCSP（2.08x1.45）
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 12V 30A 10MRIGIDCSP
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AOCR33105E 技术参数详情：
  • 型号:AOCR33105E
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:10-MRigidCSP（2.08x1.45）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 12V 30A 10MRIGIDCSP
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道，共漏
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:12V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:3.1W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-SMD，无引线
  • 供应商器件封装:10-MRigidCSP（2.08x1.45）
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