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图片信息
NVXK2PR80WXT2 图片
NVXK2PR80WXT2
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:APM32
  • 技术参数：MOSFET 4N-CH 1200V 31A APM32
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NVXK2PR80WXT2 技术参数详情：
  • 型号:NVXK2PR80WXT2
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:APM32
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 4N-CH 1200V 31A APM32
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:4 N 沟道（全桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:116 毫欧 @ 20A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.3V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56nC @ 20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:208W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:32-PowerDIP 模块（1.449，36.80mm）
  • 供应商器件封装:APM32
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