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NVTR01P02LT1G - onsemi
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图片信息
NVTR01P02LT1G 图片
NVTR01P02LT1G
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SOT-23-3（TO-236）
  • 技术参数：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
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NVTR01P02LT1G 技术参数详情：
  • 型号:NVTR01P02LT1G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SOT-23-3（TO-236）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 750mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.1 nC @ 4 V
  • Vgs（最大值）:±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:225 pF @ 5 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
  • 工作温度:-
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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