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NVMYS7D0N06CTWG - onsemi
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图片信息
NVMYS7D0N06CTWG 图片
NVMYS7D0N06CTWG
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:LFPAK4（5x6）
  • 技术参数：POWER MOSFET 60 V, 1.68 MOHMS, 2
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NVMYS7D0N06CTWG 技术参数详情：
  • 型号:NVMYS7D0N06CTWG
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:LFPAK4（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:POWER MOSFET 60 V, 1.68 MOHMS, 2
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.9A（Ta），66A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 11A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 53A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:4W（Ta），61.3W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:LFPAK4（5x6）
  • 封装/外壳:SOT-1023，4-LFPAK
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