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NTMC083NP10M5L - onsemi
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图片信息
NTMC083NP10M5L 图片
NTMC083NP10M5L
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SOIC
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
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NTMC083NP10M5L 技术参数详情：
  • 型号:NTMC083NP10M5L
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），4.1A（Tc），2.4A（Ta），3.3A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:83 毫欧 @ 1.5A，10V，131 毫欧 @ 1.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5nC @ 10V，8.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:222pF @ 50V，525pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:1.6W（Ta），3.1W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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