NSVMMBD353LT1G - onsemi
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图片信息
NSVMMBD353LT1G
制造厂家:
onsemi (安森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 射频,封装:SOT-23-3(TO-236)
技术参数:
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
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NSVMMBD353LT1G 技术参数详情:
型号:NSVMMBD353LT1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
二极管类型:肖特基 - 1 对串联
电压 - 峰值反向(最大值):7V
电流 - 最大值:-
不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
不同If、F 时电阻:-
功率耗散(最大值):225 mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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NSVMMBD353LT1G
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