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NGTD13T120F2SWK - onsemi
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图片信息
NGTD13T120F2SWK 图片
NGTD13T120F2SWK
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:触片
  • 技术参数：IGBT TRENCH FS 1200V WAFER
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NGTD13T120F2SWK 技术参数详情：
  • 型号:NGTD13T120F2SWK
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:触片
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 1200V WAFER
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A
  • 功率 - 最大值:-
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C 时 Td（开/关）值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:触片
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