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图片信息
NE5517DR2G 图片
NE5517DR2G
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器，封装:16-SOIC
  • 技术参数：IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
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NE5517DR2G 技术参数详情：
  • 型号:NE5517DR2G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:16-SOIC
  • 类目:集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
  • 描述:IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:跨导
  • 电路数:2
  • 输出类型:推挽式
  • 压摆率:50V/s
  • 增益带宽积:2 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:400 nA
  • 电压 - 输入补偿:400 V
  • 电流 - 供电:2.6mA
  • 电流 - 输出/通道:500 A
  • 电压 - 跨度（最小值）:4 V
  • 电压 - 跨度（最大值）:44 V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:16-SOIC
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