MJD112T4 - onsemi
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图片信息
MJD112T4
制造厂家:
onsemi (安森美)
类别封装:
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
技术参数:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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MJD112T4 技术参数详情:
制造商产品型号:MJD112T4
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
产品系列:*
零件状态:停产
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流-集电极(Ic)(最大值):2A
电压-集射极击穿(最大值):100V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):2V @ 8mA,2A
电流-集电极截止(最大值):20A
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V
功率-最大值:20W
频率-跃迁:25MHz
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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