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J112_D27Z - onsemi
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图片信息
J112_D27Z 图片
J112_D27Z
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：JFET结点场效应管，TO-92-3
  • 技术参数：JFET N-CH 35V 625MW TO92
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J112_D27Z 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：J112_D27Z
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：JFET N-CH 35V 625MW TO92
  • 系列：-
  • FET 类型：N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
  • 漏源极电压 (Vdss)：-
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值：-
  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1A
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
  • 电阻 - RDS（开）：50 欧姆
  • 安装类型：通孔
  • 产品封装：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商器件封装：TO-92-3
  • 功率 - 最大值：625mW
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