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FQT1N80TF_WS - onsemi
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图片信息
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FQT1N80TF_WS
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：单端场效应管，SOT-223-3
  • 技术参数：MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
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FQT1N80TF_WS 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：FQT1N80TF_WS
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
  • 系列：QFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：800V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 欧姆 @ 100mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：195pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商器件封装：SOT-223-3
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