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图片信息
FQA8N80
制造厂家:
onsemi (安森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-3P
技术参数:
N-CHANNEL POWER MOSFET
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FQA8N80 技术参数详情:
型号:FQA8N80
品牌:Fairchild Semiconductor (Fairchild,仙童或飞兆半导体,已被ONSEMI安森美收购)
封装:TO-3P
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
包装:散装
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):57 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2350 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):220W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3P
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
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