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图片信息
FDS3890
制造厂家:
onsemi (安森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SOIC
技术参数:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
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FDS3890 技术参数详情:
型号:FDS3890
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1180pF @ 40V
功率 - 最大值:900mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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