射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
FDI8441_F085 - onsemi
onsemi代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
onsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
FDI8441_F085 图片
FDI8441_F085
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I2PAK（TO-262）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 40V 26A/80A I2PAK
  • 需要FDI8441_F085的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
FDI8441_F085 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：FDI8441_F085
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 26A/80A I2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Ta），80A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：280nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15000pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I2PAK（TO-262）
  • 快速提供FDI8441_F085专业且全面的报价，onsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
onsemi品牌LOGO
更多onsemi产品：
onsemi公司授权代理商
SensoPart
NI
OST
ATOP
Celduc
FDI8441_F085（制造商：onsemi） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台