FCH041N65F_F085 - onsemi
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图片信息
FCH041N65F_F085
制造厂家:
onsemi (安森美)
类别封装:
FET - 单,TO-247-3
技术参数:
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
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FCH041N65F_F085 技术参数详情:
制造商产品型号: FCH041N65F_F085
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
系列: SuperFET II
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 76A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 41 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 304nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 13566pF @ 25V
功率 - 最大值: 595W
安装类型: 通孔
产品封装: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247
快速提供
FCH041N65F_F085
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