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ECH8620-TL-E - onsemi
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图片信息
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ECH8620-TL-E
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：FET - 阵列，8-SMD
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
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ECH8620-TL-E 技术参数详情：
  • 制造商产品型号: ECH8620-TL-E
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
  • 系列: -
  • FET 类型: N 和 P 沟道
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）: 100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A，1.5A
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 260 毫欧 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 650pF @ 20V
  • 功率 - 最大值: 1.3W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装: 8-ECH
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