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EDB003M06TM3L - Wolfspeed
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图片信息
EDB003M06TM3L 图片
EDB003M06TM3L
  • 制造厂家：Wolfspeed
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:模块
  • 技术参数：SIC, MODULE, 3.3M, 650V, TM, AUT
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EDB003M06TM3L 技术参数详情：
  • 型号:EDB003M06TM3L
  • 品牌:Wolfspeed, Inc. (Wolfspeed,科锐)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC, MODULE, 3.3M, 650V, TM, AUT
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):440A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 320A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.6V @ 60mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:832 nC @ 15 V
  • Vgs（最大值）:+19V，-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22700 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 供应商器件封装:模块
  • 封装/外壳:模块
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