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Winbond产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
W66BQ2NQQAFJ 图片
  • 制造厂家:Winbond(华邦电子)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-TFBGA(10x14.5)
  • 技术参数:IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 200TFBGA
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W66BQ2NQQAFJ 技术参数详情:
  • 型号:W66BQ2NQQAFJ
  • 品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
  • 封装:200-TFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 200TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:-
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:64M x 32
  • 存储器接口:LVSTL_06
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:18ns
  • 访问时间:3.6 ns
  • 电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-TFBGA
  • 供应商器件封装:200-TFBGA(10x14.5)
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