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W66BM6NBUAFJ TR - Winbond
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图片信息
W66BM6NBUAFJ TR 图片
W66BM6NBUAFJ TR
  • 制造厂家：Winbond（华邦电子）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:200-WFBGA（10x14.5）
  • 技术参数：IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
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W66BM6NBUAFJ TR 技术参数详情：
  • 型号:W66BM6NBUAFJ TR
  • 品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
  • 封装:200-WFBGA（10x14.5）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:LVSTL_11
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字，页:18ns
  • 访问时间:3.5 ns
  • 电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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