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W66BM6NBUAFI - Winbond
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图片信息
W66BM6NBUAFI 图片
W66BM6NBUAFI
  • 制造厂家：Winbond（华邦电子）
  • 类别封装：存储器，产品封装：200-WFBGA
  • 技术参数：IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
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W66BM6NBUAFI 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：W66BM6NBUAFI TR
  • 制造商：Winbond Electronics（华邦电子）
  • 描述：IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：剪切带（CT）
  • 系列：-
  • 零件状态：初步
  • 存储器类型：易失
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - 移动 LPDDR4X
  • 存储容量：2Gb（128M x 16）
  • 存储器接口：LVSTL_11
  • 时钟频率：1.6GHz
  • 写周期时间-字，页：18ns
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：200-WFBGA
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