射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
WNSC2M1K0170WQ - WeEn
WeEn代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
WeEn产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
WNSC2M1K0170WQ 图片
WNSC2M1K0170WQ
  • 制造厂家：WeEn（瑞能半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-3
  • 技术参数：WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
  • 需要WNSC2M1K0170WQ的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
WNSC2M1K0170WQ 技术参数详情：
  • 型号:WNSC2M1K0170WQ
  • 品牌:WeEn Semiconductors (WeEn,瑞能半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 1A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.2V @ 800A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:225 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:79W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 快速提供WNSC2M1K0170WQ专业且全面的报价，WeEn代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
WeEn品牌LOGO
更多WeEn产品：
WeEn公司授权代理商
Soberton
FEIG
JonDeTech
aimtec
Good-Ark
WNSC2M1K0170WQ（制造商：WeEn） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台