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WNSC08650T6J - WeEn
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图片信息
WNSC08650T6J 图片
WNSC08650T6J
  • 制造厂家：WeEn（瑞能半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管，封装:5-DFN（8x8）
  • 技术参数：DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
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WNSC08650T6J 技术参数详情：
  • 型号:WNSC08650T6J
  • 品牌:WeEn Semiconductors (WeEn,瑞能半导体)
  • 封装:5-DFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
  • 速度:零恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:267pF @ 1V，1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-VSFN 焊盘
  • 供应商器件封装:5-DFN（8x8）
  • 工作温度 - 结:175°C（最大）
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