SQJ960EP-T1_GE3 - Vishay
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图片信息
SQJ960EP-T1_GE3
制造厂家:
Vishay(威世)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:PowerPAK SO-8 双
技术参数:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
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SQJ960EP-T1_GE3 技术参数详情:
型号:SQJ960EP-T1_GE3
品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
封装:PowerPAK SO-8 双
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):36 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):735pF @ 25V
功率 - 最大值:34W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:PowerPAK SO-8 双
供应商器件封装:PowerPAK SO-8 双
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