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SQJ766EP-T1_GE3 - Vishay
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图片信息
SQJ766EP-T1_GE3 图片
SQJ766EP-T1_GE3
  • 制造厂家：Vishay（威世）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:PowerPAK SO-8L Dual
  • 技术参数：AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80-V (D-S)
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SQJ766EP-T1_GE3 技术参数详情：
  • 型号:SQJ766EP-T1_GE3
  • 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
  • 封装:PowerPAK SO-8L Dual
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80-V (D-S)
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:93W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-100，SOT-669
  • 供应商器件封装:PowerPAK SO-8L Dual
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