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SQJ422EP-T1-GE3 - Vishay
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图片信息
SQJ422EP-T1-GE3 图片
SQJ422EP-T1-GE3
  • 制造厂家：Vishay（威世）
  • 类别封装：单端场效应管，PowerPAK
  • 技术参数：MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
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SQJ422EP-T1-GE3 技术参数详情：
  • Vishay威世半导体原厂型号：SQJ422EP-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
  • 系列：TrenchFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：75A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.4 毫欧 @ 18A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4660pF @ 20V
  • 功率 - 最大值：83W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK SO-8
  • 供应商器件封装：PowerPAK SO-8
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