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SIR580DP-T1-RE3 - Vishay
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图片信息
SIR580DP-T1-RE3 图片
SIR580DP-T1-RE3
  • 制造厂家：Vishay（威世）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PowerPAK SO-8
  • 技术参数：N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
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SIR580DP-T1-RE3 技术参数详情：
  • 型号:SIR580DP-T1-RE3
  • 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
  • 封装:PowerPAK SO-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35.8A（Ta），146A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 40 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:6.25W（Ta），104W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerPAK SO-8
  • 封装/外壳:PowerPAK SO-8
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