IRFI830G - Vishay
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图片信息
IRFI830G
制造厂家:
Vishay(威世)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220-3
技术参数:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
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IRFI830G 技术参数详情:
制造商产品型号:IRFI830G
制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
描述:MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.1A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 1.9A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):38nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):610pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):35W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220-3
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