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FDN338P - UMW
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图片信息
FDN338P 图片
FDN338P
  • 制造厂家：UMW
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SOT-23
  • 技术参数：20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
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FDN338P 技术参数详情：
  • 型号:FDN338P
  • 品牌:UMW (UMW)
  • 封装:SOT-23
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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