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UMW产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
FDB8832 图片
  • 制造厂家:UMW
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:-
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263
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FDB8832 技术参数详情:
  • 型号:FDB8832
  • 品牌:UMW (UMW)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263
  • 系列:*
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
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