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TTC011B,Q(S - Toshiba
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图片信息
TTC011B,Q(S 图片
TTC011B,Q(S
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：-
  • 技术参数：TRANSISTOR NPN BIPO TO126N
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TTC011B,Q(S 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TTC011B,Q(S
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：TRANSISTOR NPN BIPO TO126N
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：*
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：-
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：-
  • 电流-集电极截止（最大值）：-
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：-
  • 功率-最大值：-
  • 频率-跃迁：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 封装：-
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