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TRS6V65H,LQ - Toshiba
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图片信息
TRS6V65H,LQ 图片
TRS6V65H,LQ
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管，封装:4-DFN-EP（8x8）
  • 技术参数：DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
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TRS6V65H,LQ 技术参数详情：
  • 型号:TRS6V65H,LQ
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:4-DFN-EP（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):6A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 6 A
  • 速度:零恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:70 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:392pF @ 1V，1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-VSFN 焊盘
  • 供应商器件封装:4-DFN-EP（8x8）
  • 工作温度 - 结:175°C
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