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TPC8117(TE12L,Q) - Toshiba
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图片信息
TPC8117(TE12L,Q) 图片
TPC8117(TE12L,Q)
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：单端场效应管，8-SOP
  • 技术参数：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
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TPC8117(TE12L,Q) 技术参数详情：
  • 东芝半导体公司完整型号：TPC8117(TE12L,Q)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.9 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4600pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
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