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Toshiba产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
TLP109(IGM-TPR,E) 图片
  • 制造厂家:东芝半导体(铠侠Kioxia)
  • 类别封装:晶体管,光电输出光隔离器,6-SO
  • 技术参数:OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
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TLP109(IGM-TPR,E) 技术参数详情:
  • 东芝半导体公司完整型号:TLP109(IGM-TPR,E)
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
  • 系列:-
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:3750Vrms
  • 电流传输比(最小值):25% @ 10mA
  • 电流传输比(最大值):75% @ 10mA
  • 打开 / 关闭时间(典型值):450ns, 450ns
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 输入类型:DC
  • 输出类型:晶体管
  • 电压 - 输出(最大值):20V
  • 电流 - 输出/通道:8mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.64V
  • 电流 - DC 正向 (If):20mA
  • Vce 饱和值(最大值):-
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-SOIC(0.179",4.55mm 宽,5 引线)
  • 供应商器件封装:6-SO,5 引线
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