射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
TK090E65Z,S1X - Toshiba
Toshiba代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Toshiba产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
TK090E65Z,S1X 图片
TK090E65Z,S1X
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-220
  • 技术参数：650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
  • 需要TK090E65Z,S1X的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
TK090E65Z,S1X 技术参数详情：
  • 型号:TK090E65Z,S1X
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1.27mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2780 pF @ 300 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 快速提供TK090E65Z,S1X专业且全面的报价，Toshiba代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Toshiba品牌LOGO
更多Toshiba产品：
Toshiba公司授权代理商
GeneSiC
Mstar
ATC
NI
Applied Kilovolts
TK090E65Z,S1X（制造商：Toshiba） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台