TJ60S06M3L,LXHQ - Toshiba
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图片信息
TJ60S06M3L,LXHQ
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:DPAK+
技术参数:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
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TJ60S06M3L,LXHQ 技术参数详情:
型号:TJ60S06M3L,LXHQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:DPAK+
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):156 nC @ 10 V
Vgs(最大值):+10V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7760 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):100W(Tc)
工作温度:175°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK+
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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