SSM3J140TU,LXHF - Toshiba
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图片信息
SSM3J140TU,LXHF
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:UFM
技术参数:
SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
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SSM3J140TU,LXHF 技术参数详情:
型号:SSM3J140TU,LXHF
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:UFM
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25.8 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):+6V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):500mW(Ta)
工作温度:150°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:UFM
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
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