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图片信息
SSM3J140TU,LXHF 图片
  • 制造厂家:东芝半导体(铠侠Kioxia)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:UFM
  • 技术参数:SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
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SSM3J140TU,LXHF 技术参数详情:
  • 型号:SSM3J140TU,LXHF
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:UFM
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25.8 毫欧 @ 4A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):+6V,-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):500mW(Ta)
  • 工作温度:150°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:UFM
  • 封装/外壳:3-SMD,扁平引线
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