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RN1108MFV(TPL3) - Toshiba
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图片信息
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RN1108MFV(TPL3)
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：单路预偏压式晶体管，VESM
  • 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
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RN1108MFV(TPL3) 技术参数详情：
  • 东芝半导体公司完整型号：RN1108MFV(TPL3)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500A，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率 - 跃迁：-
  • 功率 - 最大值：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-723
  • 供应商器件封装：VESM
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