RN1106,LF(CT - Toshiba
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图片信息
RN1106,LF(CT
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管,封装:SSM
技术参数:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
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RN1106,LF(CT 技术参数详情:
型号:RN1106,LF(CT
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:SSM
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
包含电阻器:R1 和 R2
电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250A,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:250 MHz
功率 - 最大值:100 mW
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:SSM
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RN1106,LF(CT
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