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HN1B04FE-Y,LF - Toshiba
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图片信息
HN1B04FE-Y,LF 图片
HN1B04FE-Y,LF
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，封装:ES6
  • 技术参数：TRANS NPN/PNP 50V 150MA ES6
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HN1B04FE-Y,LF 技术参数详情：
  • 型号:HN1B04FE-Y,LF
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:ES6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS NPN/PNP 50V 150MA ES6
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:1 NPN，1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 10mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 2mA，6V
  • 功率 - 最大值:100mW
  • 频率 - 跃迁:80MHz
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装:ES6
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