GT15J311(SM,Q) - Toshiba
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图片信息
GT15J311(SM,Q)
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
单路IGBT,TO-220SM
技术参数:
IGBT 600V 15A 70W TO220SM
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GT15J311(SM,Q) 技术参数详情:
东芝半导体公司完整型号:GT15J311(SM,Q)
制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
描述:IGBT 600V 15A 70W TO220SM
系列:-
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A
Current - Collector Pulsed (Icm):30A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,15A
功率 - 最大值:70W
Switching Energy:-
输入类型:标准
Gate Charge:-
25°C 时 Td(开/关)值:400ns/500ns
Test Condition:300V, 15A, 75 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):200ns
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-220SM
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