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CRZ18(TE85L,Q,M) - Toshiba
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图片信息
CRZ18(TE85L,Q,M) 图片
CRZ18(TE85L,Q,M)
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:S-FLAT（1.6x3.5）
  • 技术参数：DIODE ZENER 18V 700MW SFLAT
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CRZ18(TE85L,Q,M) 技术参数详情：
  • 型号:CRZ18(TE85L,Q,M)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:S-FLAT（1.6x3.5）
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 18V 700MW SFLAT
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):18 V
  • 容差:±10%
  • 功率 - 最大值:700 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 13 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123F
  • 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）
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