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CMZ18(TE12L,Q) - Toshiba
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图片信息
CMZ18(TE12L,Q) 图片
CMZ18(TE12L,Q)
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：单齐纳二极管，M-FLAT
  • 技术参数：DIODE ZENER 18V 2W MFLAT
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CMZ18(TE12L,Q) 技术参数详情：
  • 东芝半导体公司完整型号：CMZ18(TE12L,Q)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：DIODE ZENER 18V 2W MFLAT
  • 系列：-
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：18V
  • 容差：±10%
  • 功率 - 最大值：2W
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：30 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：10A @ 13V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOD-128
  • 供应商器件封装：M-FLAT（2.4x3.8）
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