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2SK3799(Q) - Toshiba
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图片信息
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2SK3799(Q)
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：单端场效应管，TO-220SIS
  • 技术参数：MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS
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2SK3799(Q) 技术参数详情：
  • 东芝半导体公司完整型号：2SK3799(Q)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：900V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.3 欧姆 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：50W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装：TO-220SIS
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