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Toshiba产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
2SK3176(F) 图片
  • 制造厂家:东芝半导体(铠侠Kioxia)
  • 类别封装:单端场效应管,TO-3P
  • 技术参数:MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
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2SK3176(F) 技术参数详情:
  • 东芝半导体公司完整型号:2SK3176(F)
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):52 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):125nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5400pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:150W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P(N)
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