2SA1972(TE6,F,M) - Toshiba
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图片信息
2SA1972(TE6,F,M)
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
单路晶体管(BJT),LSTM
技术参数:
TRANS PNP 400V 0.5A LSTM
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2SA1972(TE6,F,M) 技术参数详情:
东芝半导体公司完整型号:2SA1972(TE6,F,M)
制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
描述:TRANS PNP 400V 0.5A LSTM
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):400V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V
功率 - 最大值:900mW
频率 - 跃迁:35MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:LSTM
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